具有交换偏置的垂直 CoFeB 基结的隧穿磁电阻
材料科学
2017-10-11 v1
摘要
近年来，具有垂直磁化电极并结合交换偏置膜的磁性隧道结引起了广泛关注。本文研究了 Ta/Pd/IrMn/Co-Fe/Ta/Co-Fe-B/MgO/Co-Fe-B/覆盖层/Pd 磁性隧道结的隧穿磁电阻与覆盖层（即 Hf 或 Ta）的依赖关系。在这些膜层堆叠中，-500 Oe 的垂直交换偏置场与垂直磁各向异性相结合。在室温下，测得 Hf 覆盖样品的隧穿磁电阻为 ，而 Ta 覆盖样品为 。有趣的是，这一观察结果与 Hf 相较于 Ta 具有更高的硼吸收能力相关，这阻止了 通道的抑制，并导致更高的隧穿磁电阻值。此外，两个样品的软电极的矫顽力随温度的变化主要由包含热涨落的 Stoner-Wohlfarth 模型描述。低温下的轻微偏差可归因于被钉扎磁性层系统对软电极产生的力矩。
引用
@article{arxiv.1709.02607,
title = {Tunneling magnetoresistance of perpendicular CoFeB-based junctions with exchange bias},
author = {Orestis Manos and Alexander Böhnke and Panagiota Bougiatioti and Robin Klett and Karsten Rott and Alessia Niesen and Jan-Michael Schmalhorst and Günter Reiss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.02607},
year = {2017}
}