磁相变驱动的隧穿各向异性磁电阻
材料科学
2017-11-01 v1
摘要
隧穿磁电阻严格要求对两个磁性电极的独立控制以及磁性隧道结中的自旋相干输运，而仅有一个铁磁电极的结则表现出依赖于态密度各向异性的隧穿各向异性磁电阻，但迄今尚无室温工作性能。本文报道了一种在α-FeRh基结中获得隧穿各向异性磁电阻的替代方法，该方法由α-FeRh的磁相变驱动，并导致MgO隧穿势垒附近态密度的大幅变化，我们称之为相变隧穿各向异性磁电阻。仅有一个α-FeRh磁性电极的结在室温下显示出高达20%的磁电阻比。相变隧穿各向异性磁电阻的极性和大小均可通过α-FeRh/MgO界面的界面工程进行调控。除了其基础意义外，我们的发现可能为磁性随机存取存储器和反铁磁自旋电子学增添一个不同的维度。
引用
@article{arxiv.1706.06773,
title = {Tunneling anisotropic magnetoresistance driven by magnetic phase transition},
author = {X. Z. Chen and J. F. Feng and Z. C. Wang and J. Zhang and X. Y. Zhong and C. Song and L. Jin and B. Zhang and F. Li and M. Jiang and Y. Z. Tan and X. J. Zhou and G. Y. Shi and X. F. Zhou and X. D. Han and S. C. Mao and Y. H. Chen and X. F. Han and F. Pan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.06773},
year = {2017}
}
备注
25 pages, 5 figures, accepted by Nature Communications