具有 MgAl2O4 势垒的垂直磁隧道结中的增强磁电阻
材料科学
2022-10-05 v1
摘要
研究了具有 MgAl2O4 势垒的垂直磁隧道结。发现采用 O2 的反应性射频溅射对于在基于 MgAl2O4 的结中获得强垂直磁各向异性和大隧穿磁电阻至关重要。对于在 400C 退火的样品，获得了 2.25 mJ/m2 的界面垂直磁各向异性能密度。还实现了 60% 的增强磁电阻。发现 Vhalf（隧穿磁电阻下降至零偏压值一半时的偏置电压）约为 1V，显著高于基于 MgO 的结。
引用
@article{arxiv.2208.09947,
title = {Enhanced magnetoresistance in perpendicular magnetic tunneling junctions with MgAl2O4 barrier},
author = {Pravin Khanal and Bowei Zhou and Magda Andrade and Christopher Mastrangelo and Ali Habiboglu and Arthur Enriquez and Daulton Fox and Kennedy Warrilow and Wei-Gang Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.09947},
year = {2022}
}