由自旋轨道耦合引起的基于MgO的磁性隧道结中的各向异性磁电阻
应用物理
2022-09-21 v1
摘要
我们对Ag(Ir,Pt)MgOFe结中的隧穿各向异性磁电阻（TAMR）进行了第一性原理研究。在该系统的面内和面外分别发现了具有理想及偏斜四重角依赖性的增强TAMR，其在某些结中表现出简单的势垒厚度依赖性，数值约为10\%。界面共振态因自旋轨道耦合产生的复杂角依赖性，应是这些结中复杂且增强的TAMR的原因。
引用
@article{arxiv.2202.07264,
title = {Anisotropic magneto-resistance in MgO-based magnetic tunnel junctions induced by spin-orbit coupling},
author = {Hui-Min Tang and Shi-zhuo Wang and Xin-tao Jia},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.07264},
year = {2022}
}
备注
6 pages, 8 figures