(Ga,Mn)As调制结构中的自旋相关隧穿
材料科学
2015-06-25 v1
摘要
我们开发了一个相干隧穿模型，该模型结合了多轨道紧束缚近似与Landauer-Büttiker形式，并将其应用于包含(Ga,Mn)As铁磁层的全半导体异质结构。我们比较了自旋相关Zener隧穿、隧穿磁电阻(TMR)和各向异性磁电阻(TAMR)的理论预测与实验结果。为了优化器件设计和性能，我们理论上检验了自旋电流对载流子密度、磁化取向、应变、偏压和间隔层厚度的依赖性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0607206,
title = {Spin-dependent tunneling in modulated structures of (Ga,Mn)As},
author = {P. Sankowski and P. Kacman and J. A. Majewski and T. Dietl},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607206},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 13 figures, submitted to PRB