基于 (Ga,Mn)As/(Al,Ga)As Zener 二极管的电压控制自旋注入
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
研究包含于光电子二极管中的 p-(Ga,Mn)As-n-(Al,Ga)As Zener 隧穿二极管电流的自旋极化。一系列自洽仿真确定了整个结构的电荷分布、带折弯以及电压-电流特性。发展了经验紧束缚模型和洛伦兹-巴特克器理，以研究电流自旋极化。这种双重方法能够解释实验观察到的自旋极化的高幅值及其强烈的偏压依赖性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0502615,
title = {Voltage controlled spin injection in a (Ga,Mn)As/(Al,Ga)As Zener diode},
author = {P. Van Dorpe and W. Van Roy and J. De Boeck and G. Borghs and P. Sankowski and P. Kacman and J. A. Majewski and T. Dietl},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0502615},
year = {2009}
}
备注
Submitted to Phys. Rev. B Rapid Communications