(Ga,Mn)As 结构中自旋极化隧穿的紧束缚模型
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
采用Landauer-Buettiker 形式与紧束缚传递矩阵方法，以描述近期实验结果：(Ga,Mn)As 基 trilayer 结构中较大的隧道磁阻（TMR），以及p-(Ga,Mn)As/n-GaAs Zener 二极管中高度极化的自旋注入。对于TMR和Zener 自旋电流极化，计算值与实验观测值良好一致。还研究了载流子浓度和磁性离子含量对自旋相关隧穿的作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0509629,
title = {Tight-binding model of spin-polarized tunnelling in (Ga,Mn)As-based structures},
author = {P. Sankowski and P. Kacman and J. Majewski and T. Dietl},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0509629},
year = {2009}
}
备注
4 paker, 2 figures, submited to Phisica E