单分子结的隧穿磁电阻
介观与纳米尺度物理
2008-12-31 v1
摘要
基于非平衡格林函数（NEGF）技术与 Landauer-Büttiker 理论，研究了一种分子自旋电子器件的可能性，该器件由连接在两个具有有限截面的铁磁电极上的单个 C 分子组成。通过研究经由分子能级的相干自旋相关输运，表明分子结的隧穿磁电阻（TMR）取决于外加电压与器件电极和分子之间的接触点数目。通过调节相关参数，获得了超过 60% 的 TMR 值。
引用
@article{arxiv.0812.4698,
title = {Tunnel Magnetoresistance of a Single-Molecule Junction},
author = {Alireza Saffarzadeh},
journal= {arXiv preprint arXiv:0812.4698},
year = {2008}
}
备注
5 pages, 3 figures