Fe|ZnSe 双结合器件中增强的隧道磁阻
材料科学
2013-05-29 v2 其他凝聚态物理
摘要
我们计算了 Fe|ZnSe|Fe|ZnSe|Fe (001) 双型隧道磁阻器件的隧道磁阻 (TMR)，并将其与 Fe|ZnSe|Fe 简单结合器件的结果进行比较。电子能带结构由参数化紧束缚哈密顿量拟合 ab initio 计算得到，导 conductance 采用以 Green 函数形式表达的 Landauer 公式计算。我们发现，对于每个自旋通道和 TMR 都强烈取决于中间 Fe 层的厚度，并且在某些情况下相对于简单结合器件得到增强，这与最近在类似系统上进行的实验研究结果定性一致。通过使用二维双结合器件作为简化系统，我们表明导电增益可由器件能谱来解释。这些结果对于自旋电子学具有意义，因为它们表明双结合器件的 TMR 可通过改变中间金属层的厚度来调谐和增强。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0511634,
title = {Enhanced tunneling magnetoresistance in Fe|ZnSe double junctions},
author = {Jeronimo Peralta Ramos and Ana Maria Llois},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0511634},
year = {2013}
}
备注
4 two-column pages, 6 figures. Submitted to Phys. Rev. Lett