将反铁磁 Heusler 化合物 Ru$_2$MnGe 集成到自旋电子器件中
材料科学
2017-08-02 v1
摘要
我们报道了首次将作为钉扎层的反铁磁 Heusler 化合物集成到磁性隧道结中。反铁磁体 RuMnGe 被用于钉扎基于 MgO 的薄膜隧穿磁电阻叠层中铁磁 Fe 层的磁化方向。样品采用磁控共溅射法制备。我们通过 X 射线衍射和反射以及原子力显微镜和高分辨透射电子显微镜研究了其结构性质。我们发现晶体生长质量优异，界面粗糙度低至 1-3 \r{A}，这对于制备有效的隧穿势垒至关重要。使用 Fe 作为铁磁电极材料，我们制备了磁性隧道结并测量了磁电阻。我们获得了可观的 135% 的最大磁电阻值，这与其他常见的基于 Fe 的 MTJ 系统相当。
引用
@article{arxiv.1705.08420,
title = {Integration of antiferromagnetic Heusler compound Ru$_2$MnGe into spintronic devices},
author = {Jan Balluff and Teodor Huminiuc and Markus Meinert and Atsufumi Hirohata and Günter Reiss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.08420},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 5 figures