用于垂直磁隧道结的通过 fcc Ru 间隔层的 L10 Fe-Pd 合成反铁磁体
材料科学
2018-05-21 v1
摘要
具有大体积垂直磁各向异性（PMA）的磁性材料对于未来自旋电子存储与逻辑器件中使用的磁隧道结（MTJs）的发展至关重要。最近预测，在这些 MTJ 中添加反铁磁层将有助于实现超快磁化翻转。在此，我们报道了一种由具有面心立方（fcc）相 Ru 间隔层的（001）织构 FePd/Ru/FePd 三层膜构成的体积垂直合成反铁磁（P-SAFM）结构的演示。该 L10 FePd P-SAFM 结构显示出大的体积 PMA（约 10.2 Merg/cc）和强反铁磁耦合（约 2.60 erg/cm2）。随后制备了具有 L10 FePd P-SAFM 层的完整垂直磁隧道结（P-MTJs）。在 350 C 后退火后，于室温（5K）观察到高达约 25%（约 60%）的隧穿磁阻比。由于表现出高热稳定性和大 Ku，具有 L10 FePd P-SAFM 层的体积 P-MTJ 可为下一代超高密度、超低能耗自旋电子应用铺平道路。
引用
@article{arxiv.1805.06942,
title = {L10 Fe-Pd Synthetic Antiferromagnet through an fcc Ru Spacer Utilized for Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions},
author = {De-Lin Zhang and Congli Sun and Yang Lv and Karl B. Schliep and Zhengyang Zhao and Jun-Yang Chen and Paul M. Voyles and Jian-Ping Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.06942},
year = {2018}
}
备注
8 pages, 4 figures