Cu 替代 Fe2P：磁随机存储器应用的崭新候选材料
材料科学
2019-02-14 v1
摘要
我们提出 Cu 替代的 Fe_2P，(Fe_{1-x}Cu_x)_2P（x∼0.16），是 STT-MRAM 应用的杰出竞争者。利用基于密度泛函理论的第一性原理计算并通过蒙特卡洛模拟，我们证明该材料可因其适中的垂直磁各向异性（PMA）、巨大的隧穿磁阻（TMR）、良好的热稳定性以及高铁磁转变温度而用作 STT-MRAM 磁隧道结（MTJ）中的铁磁电极。我们指出，合成简单、储量巨大且无毒，使该材料成为替代当前 STT-MRAM 的 MTJ 材料（如 FePt、FeCo 或 FeCoB）的极佳候选。
引用
@article{arxiv.1902.04876,
title = {Cu-substituted Fe2P: An emerging candidates for magnetic RAM application},
author = {Enamullah and S. Bhat and Seung-Cheol Lee and S. Bhattacharjee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.04876},
year = {2019}
}