作为磁性隧道结自旋注入电极的铁磁氧化物半导体
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
由室温铁磁半导体金红石型 Ti1-xCoxO2-d 与铁磁金属 Fe0.1Co0.9 构成、以 AlOx 势垒层隔开的磁性隧道结，在 15 K 下表现出约 11% 的正隧穿磁阻（TMR）比值，表明 Ti1-xCoxO2-d 可用作自旋注入电极。TMR 随温度升高而减小，并在 180 K 以上消失。高温下的 TMR 效应很可能因非晶势垒层和/或结界面的低质量所导致的非弹性隧穿导电而被抑制。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0507137,
title = {A ferromagnetic oxide semiconductor as spin injection electrode in magnetic tunnel junction},
author = {H. Toyosaki and T. Fukumura and K. Ueno and M. Nakano and M. Kawasaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507137},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 4 figures