在磁隧道结结构中全Heusler合金Co2FeSi薄层内诱导垂直磁各向异性的方法
材料科学
2018-01-22 v3
摘要
在本研究中，为利用半金属铁磁体（HMFs）获得垂直磁隧道结（p-MTJs），开发了若干方法以在由层状CFS/MgO/CFS结构组成的MTJ多层膜中的全Heusler Co2FeSi（CFS）合金薄层内诱导垂直磁各向异性（PMA）。在沉积底部CFS层后于2.0 Pa氧气下暴露10分钟，可有效使CFS层获得PMA。PMA的成因之一是沉积MgO层前的氧气暴露形成了近乎理想的CFS/MgO界面。退火工艺可有效使覆有Pd层的顶部CFS层获得PMA。在Cr(40 nm)/Pd(50 nm)/底部CFS(0.6 nm)/MgO(2.0 nm)/顶部CFS(0.6 nm)/Pd(10 nm)多层膜中清晰观察到顶部CFS层的PMA，其中顶部CFS与Pd薄膜沉积于室温（RT）并随后在300{\\deg}C退火。除薄膜的连续层状生长外，顶部CFS/Pd界面的晶向排列可能也是顶部CFS层PMA的起源。
引用
@article{arxiv.1711.10722,
title = {Methods to induce perpendicular magnetic anisotropy in full-Heusler Co2FeSi thin layers in a magnetic tunnel junction structure},
author = {Koki Shinohara and Takahiro Suzuki and Yota Takamura and Shigeki Nakagawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.10722},
year = {2018}
}
备注
16 pages, 4 figures