MgO 界面诱导 Co20Fe50Ge30 薄膜的垂直磁化
材料科学
2015-06-16 v1
摘要
报道了在单晶 MgO (001) 衬底上外延生长 Co20Fe50Ge30 薄膜的研究。结构表征揭示了 CoFeGe 具有 (001) 取向的 B2 有序，且与 MgO 势垒层晶格匹配良好。在 MgO/CoFeGe/MgO 结构中实现了垂直磁各向异性 (PMA)，优化后的磁各向异性能量密度 () 为 erg/cm。研究发现磁各向异性强烈依赖于 MgO 和 CoFeGe 层的厚度，表明 CoFeGe 的 PMA 源于 CoFeGe 与 MgO 之间的界面各向异性。凭借报道的低阻尼常数，CoFeGe 薄膜是实现低开关电流的有前景的自旋电子材料。
引用
@article{arxiv.1307.0104,
title = {Perpendicular magnetization of Co20Fe50Ge30 films induced by MgO interface},
author = {Manli Ding and S. Joseph Poon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.0104},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 5 figures