调控 MgO/CoFeB/Ta 薄膜中的垂直磁各向异性

T. Zhu; P. Chen; Q. H. Zhang; R. C. Yu; B. G. Liu

调控 MgO/CoFeB/Ta 薄膜中的垂直磁各向异性

材料科学 2014-12-05 v2

作者: T. Zhu , P. Chen , Q. H. Zhang , R. C. Yu , B. G. Liu

摘要

理解铁磁金属/氧化物界面的磁各向异性是一个基础且引人入胜的课题。在此，我们提出了一种通过在 MgO/CoFeB/Ta 薄膜中改变 MgO 厚度来调控垂直磁各向异性 (PMA) 强度的方法。我们确定，MgO/CoFeB 界面的 PMA 受体相 MgO 层的晶体结构调控，并随着 MgO 厚度增加导致晶体 MgO 开始形成而急剧下降。我们的工作开辟了一条通过修饰铁磁金属/氧化物界面来调控磁各向异性的途径。

关键词

垂直磁各向异性 MgO/CoFeB/Ta 薄膜界面工程晶体结构铁磁金属氧化物界面磁调控

引用

@article{arxiv.1405.2551,
  title  = {Tuning perpendicular magnetic anisotropy in the MgO/CoFeB/Ta thin films},
  author = {T. Zhu and P. Chen and Q. H. Zhang and R. C. Yu and B. G. Liu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1405.2551},
  year   = {2014}
}

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