Ta|CoFeB|MgO薄膜中厚度依赖的磁弹性及其对垂直磁各向异性的影响
材料科学
2016-02-17 v1
摘要
我们报道了使用四点弯曲装置作为单轴应变函数对超薄 Ta|CoFeB|MgO 层的面内磁弹性耦合的测量。对于退火样品，我们观察到在 1.3-2.0 nm 范围内 CoFeB 层厚度的强烈依赖，这可建模为源于磁弹性耦合的有效表面和体贡献的组合。我们指出，如果对于响应双轴应变的磁弹性耦合存在类似的厚度依赖，则磁各向异性能的标准 Néel 模型会获得一个与磁层厚度成反比的项。这一贡献可显著改变整体磁各向异性，并为超薄退火 CoFeB|MgO 垂直磁各向异性薄膜中普遍观察到的磁各向异性能对磁层厚度的强非线性依赖提供了自然的解释。
引用
@article{arxiv.1509.04134,
title = {Thickness-Dependent Magnetoelasticity and its Effects on Perpendicular Magnetic Anisotropy in Ta|CoFeB|MgO Thin Films},
author = {Praveen G. Gowtham and Gregory M. Stiehl and Daniel C. Ralph and Robert A. Buhrman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.04134},
year = {2016}
}
备注
18 pages + 4 figures (Main text), 5 pages + 1 Figure (Supplementary)