利用垂直各向异性 CoFeB 薄膜中的畴压缩性测量磁化强度
介观与纳米尺度物理
2015-06-16 v1 材料科学
摘要
我们提出了一种绘制具有垂直各向异性的软超薄薄膜饱和磁化强度的方法，并用该方法评估了 CoFeB(1 nm)/MgO 薄膜磁化强度的成分依赖性。该方法依赖于对定义线性畴的平行畴壁之间的偶极排斥力的测量。薄膜磁化强度与畴的场压缩性相关联。该方法还能得出两个畴壁合并前的最小距离，这为使用畴壁作为存储实体的自旋电子器件的存储密度设定了一个实际限制。
引用
@article{arxiv.1307.6479,
title = {Measurement of magnetization using domain compressibility in CoFeB films with perpendicular anisotropy},
author = {N. Vernier and J. P. Adam and S. Eimer and G. Agnus and T. Devolder and T. Hauet and B. Ockert and D. Ravelosona},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.6479},
year = {2015}
}