基于CoFeB的多层膜中各向异性的诱导与抑制
材料科学
2023-06-06 v1
摘要
控制单轴磁各向异性对广泛应用具有实际意义。我们研究了生长于不同晶向LiNbO衬底及氧化硅上的CoFeB单层膜。我们确定了适于诱导或抑制单轴各向异性的退火条件。使用具有各向异性表面的衬底时，各向异性场经退火可增至高达11 mT；使用各向同性表面时，则可降至低于1 mT。第一种情况下，观测到的各向异性增强源于退火期间应变弛豫后回到室温时衬底各向异性热收缩所引起的膜内双轴应变。第二种情况下，通过施加连续的相互正交磁场逐步消除各向异性，这被认为会逐渐抑制磁膜内的任何化学有序。该方法可应用于CoFeB/Ru/CoFeB合成反铁磁体，但各向异性的调控伴随着层间交换耦合的减弱与交换刚度的剧烈变化。
引用
@article{arxiv.2303.11718,
title = {Inducing or suppressing the anisotropy in multilayers based on CoFeB},
author = {R. L. Seeger and F. Millo and A. Mouhoub and G. de Loubens and A. Solignac and T. Devolder},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.11718},
year = {2023}
}