带缓冲层的过渡金属合金薄膜的磁化反转与各向异性
材料科学
2026-02-02 v1
摘要
平面霍尔效应（PHE）传感器的兴趣在近年来因其在生物技术等广泛应用领域的前景而重新兴起。传感器灵敏度可以通过降低有效各向异性场来提高，但这会导致磁性域在磁化反转期间形成，从而导致滞回响应。因此，对磁各向异性和磁化反转进行精确控制至关重要，以在灵敏度和稳定性之间取得平衡。本文中，我们研究了基于各种金属缓冲层生长的 Ni-Fe 和 Co-Fe 多层薄膜的磁各向异性和磁化反转机制，评估了缓冲层和场辅助沉积对结果磁各向异性的影响。NiFe 薄膜表现出主要由生长时施加的场决定的单轴各向异性，其各向异性常数约为 ，基本独立于缓冲层。相比之下，CoFe 薄膜的磁各向异性由缓冲层主导，导致二轴磁响应。特别是施加外部磁场沉积的 Ag 缓冲层薄膜表现出最高可达 的二轴各向异性。从分析各向异性场的角度依赖性，推断了每个系统的磁化反转机制。
引用
@article{arxiv.2601.22835,
title = {Magnetization reversal and anisotropies in buffered transition-metal alloys thin films},
author = {Agostina Lo Giudice and Augusto Román and Laura Beatriz Steren},
journal= {arXiv preprint arXiv:2601.22835},
year = {2026}
}