外延磁铁矿薄膜中场依赖的各向异性磁电阻与平面霍尔效应
强关联电子
2015-05-30 v1
摘要
本文报道了对磁铁矿(Fe3O4)外延薄膜纵向和横向电阻率的温度与磁场依赖性的系统研究。各向异性磁电阻(AMR)和平面霍尔效应(PHE)对电流和磁化强度相对于晶轴的面内取向敏感，其方式与体系的立方对称性一致。我们还表明，AMR随温度变化出现符号反转，并且在高达9 T的磁场下表现出显著的场依赖性且未饱和。我们的结果为外延磁铁矿薄膜中的各向异性磁电阻效应提供了统一描述，并说明了在晶体体系中完整确定电阻率张量的必要性。
引用
@article{arxiv.1109.5828,
title = {Field-dependent anisotropic magnetoresistance and planar Hall effect in epitaxial magnetite thin films},
author = {N. Naftalis and A. Kaplan and M. Schultz and C. A. F. Vaz and J. A. Moyer and C. H. Ahn and L. Klein},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.5828},
year = {2015}
}