Rh/Y3Fe5O12杂化结构中的纯自旋霍尔磁电阻
介观与纳米尺度物理
2015-11-20 v1 材料科学
强关联电子
摘要
我们报道了溅射在外延YFeO（YIG）铁磁绝缘薄膜上的Rh和Pt薄膜的各向异性磁电阻（AMR）和异常霍尔电阻（AHR）的研究。对于Pt/YIG杂化结构，在5-300 K温度范围内观察到大的自旋霍尔磁电阻（SMR）以及可观的常规各向异性磁电阻（CAMR）和AHR的非平凡温度依赖性。相比之下，在Rh/YIG杂化结构中发现了减小的SMR以及可忽略的CAMR和AHR。由于CAMR和AHR是所有铁磁金属的特征，我们的结果表明Pt很可能由于磁邻近效应（MPE）而被YIG磁化，而Rh则不受MPE影响。因此，Rh/YIG杂化结构可能成为探索与纯自旋流相关的物理和器件的理想模型系统。
引用
@article{arxiv.1510.09007,
title = {Pure spin-Hall magnetoresistance in Rh/Y3Fe5O12 hybrid},
author = {T. Shang and Q. F. Zhan and H. L. Yang and Z. H. Zuo and Y. L. Xie and H. H. Li and L. P. Liu and B. M. Wang and Y. H. Wu and S. Zhang and Run-Wei Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.09007},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 4 figures