Y3Fe5O12 (YIG)/IrMn 薄膜中的平面霍尔效应
材料科学
2015-06-23 v1
摘要
在磁场于薄膜平面内旋转的情况下，测量了钇铁石榴石 (YIG = Y3Fe5O12) 上 IrMn 的平面霍尔效应。在不同温度下，观察到 YIG/IrMn 双层结构中平面霍尔电阻 (PHR) 随磁场角度的变化关系，而 GGG/IrMn (GGG= Gd3Ga5O12) 在 10 K 和 300 K 下对于不同磁场角度均显示恒定的 PHR。这提供了证据表明 IrMn 具有界面自旋，且在 YIG/IrMn 结构中可由铁磁体 (FM) 引导。在 10 K 下，YIG/IrMn 薄膜的 PHR-磁场角度回路中可观察到磁滞现象，表明低温下 IrMn 界面自旋发生了不可逆翻转。
引用
@article{arxiv.1410.1112,
title = {Planar Hall effect in Y3Fe5O12(YIG)/IrMn films},
author = {Xu Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.1112},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 4 figures, 1 table