La(0.8)Sr(0.2)MnO(3)的磁电阻张量
材料科学
2015-05-13 v1
摘要
我们测量了c轴取向的La(0.8)Sr(0.2)MnO(3)外延薄膜中，对于不同电流方向相对于晶轴的各向异性磁电阻(AMR)和平面霍尔效应(PHE)的温度依赖性，并表明AMR和PHE都强烈依赖于电流取向。我们确定了一个提取到四阶的磁电阻张量，该张量反映了晶体对称性，并提供了对数据的全面描述。通过确定样品中的双轴磁晶各向异性，我们扩展了所提取张量的适用性。
引用
@article{arxiv.0810.4679,
title = {The magnetoresistance tensor of La(0.8)Sr(0.2)MnO(3)},
author = {Y. Bason and J. Hoffman and C. H. Ahn and L. Klein},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.4679},
year = {2015}
}