多晶体 Co 薄膜中由硬轴坍塌引起的反常自发电阻各向异性

我们研究了与多晶体 Co 薄膜磁化硬轴坍塌相关的磁阻现象。输运测量结果表明，对于特定的应用磁场方向，系统在平面内纵向和横向电压响应中表现出不同的残余电阻水平。特别是，平面霍尔电阻在室温下显示出多个稳定且可重复的水平，这使得至少可以识别三个可被区分并用于信息存储的残余状态。这些电阻水平来源于在硬轴区域应用和移除外部磁场后稳定的非均匀磁构型。由于该现象在实际中仍较为人所未知，我们present了一项从应用物理角度探讨其潜在影响的初步研究。Si 衬底上生长的多晶体 Co 薄膜的这种行为表明，一种简单且低成本的基于残余平面霍尔效应的自旋电子器件平台，具有用于存储和探测器件的潜力。