强应变 SrIrO3 薄膜的各向异性与相互作用效应
强关联电子
2017-07-04 v2
摘要
我们研究了通过反应射频溅射在外延生长于 SrTiO 上的 SrIrO 薄膜的磁输运性质。发现了面内与面外电阻率之间的巨大各向异性，以及衬底立方到四方相变的迹象。这两种观测均源于与外延应变相关的结构畸变。霍尔数的低温与磁场依赖性被解释为源于库仑相互作用对弱局域化的贡献，证明了该材料中的强关联。在分析弱局域化区的磁电导时，引入来自磁性散射体的贡献，被提议作为对 Land\'{e} 系数异常大的温度依赖性的一种替代解释。
引用
@article{arxiv.1604.06390,
title = {Anisotropy and interaction effects of strongly strained SrIrO3 thin films},
author = {L. Fruchter and O. Schneegans and Z. Z. Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.06390},
year = {2017}
}