压应变诱导正交SrIrO3薄膜中的金属-绝缘体转变
强关联电子
2014-11-18 v1 材料科学
摘要
我们研究了外延正交SrIrO3薄膜在压应变下的电子性质。利用外延稳定技术在不同衬底上合成了亚稳态正交SrIrO3薄膜。我们观察到，随着面内晶格压缩增加，薄膜的直流电阻率（ρ）增加了几个数量级，并且dρ/dT从正值变为负值。然而，光学吸收光谱显示所有压应变薄膜都具有Drude-like金属响应，没有光学带隙打开。磁场下的输运测量显示压应变薄膜在低温下具有负磁阻。我们的结果表明，弱局域化是正交SrIrO3薄膜中应变诱导金属-绝缘体转变的原因。
引用
@article{arxiv.1406.6640,
title = {Compressive strain-induced metal-insulator transition in orthorhombic SrIrO3 thin films},
author = {J. H. Gruenewald and J. Nichols and J. Terzic and G. Cao and J. W. Brill and S. S. A. Seo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.6640},
year = {2014}
}
备注
5 figurs