应变依赖的绝缘态与斯柯克效应在薄钙铌锂氧化物薄膜中的研究

铱氧化物中较大的自旋轨道耦合在驱动新物理行为方面发挥着重要作用，包括铱氧化物的薄膜和异质结构中出现的涌现现象。在本工作中，我们研究了薄钙铌锂氧化物薄膜电子行为的应变作用。我们发现，压缩应变导致金属传输行为，但轻微拉伸应变表现为带隙行为。利用温度依赖的电阻率测量来考察薄膜随应变变化的不同行为。我们发现斯柯克贡献于电阻率，在应力较小且薄膜较薄的薄膜中表现出更强的斯柯克效应。这些结果表明，利用应变可以将钙铌锂氧化物调控为斯柯克绝缘态，从而开启可通过应变控制的薄膜量子临界点的可能性。