应变对B位有序双钙钛矿Sr$_2$CoIrO$_6$薄膜电学性质的调控
强关联电子
2018-05-23 v2
摘要
采用金属有机气溶胶沉积技术在不同衬底上外延生长了B位有序的双钙钛矿SrCoIrO薄膜，从而引入不同的应变状态。X射线衍射、透射电子显微镜和偏振远场拉曼光谱证实了在所有所用衬底上的应变外延生长。偏振依赖的Co X射线吸收光谱揭示，在应变系列中反铁磁有序的（高自旋）Co子晶格的磁易轴发生了改变。通过将外加应变方向从拉伸反转为压缩，易轴从面内取向突变为面外取向。低温磁电阻相应地改变符号，并由弱反局域化与各向异性磁电阻效应的组合来描述。
引用
@article{arxiv.1801.03853,
title = {Strain induced changes of electronic properties of B-site ordered double perovskite Sr$_2$CoIrO$_6$ thin films},
author = {S. Esser and C. F. Chang and C. -Y. Kuo and S. Merten and V. Roddatis and T. D. Ha and A. Jesche and V. Moshnyaga and H. -J. Lin and A. Tanaka and C. T. Chen and L. H. Tjeng and P. Gegenwart},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.03853},
year = {2018}
}
备注
19 pages, 29 figures (including supplemental material)