Sr2IrO4 薄膜中的外延畸变自旋 - 轨道 Mott 绝缘体
材料科学
2015-06-11 v2
摘要
我们在 SrTiO3(001) 衬底上生长了具有递增面内拉伸应变的高质量 Jeff=1/2 Mott 绝缘体 Sr2IrO4 外延薄膜。观察到面内拉伸应变增加至约 0.3% 时，c/a 四方畸变度降低了 1.2%。X 射线吸收光谱检测到，随着面内拉伸应变的增加，线性二色性显著减弱，表明局部电子结构的各向异性降低。虽然最弛豫的薄膜显示出与先前报道的单晶块体测量一致的相关性，但电输运结果显示，对于最薄且外延畸变最大的薄膜，电荷隙从 200 meV 减小至 50 meV。我们认为，四方畸变度的降低在电子结构的变化中起主要作用，这一变化反映在输运性质的改变上。我们的工作开启了利用外延应变作为工具来对自旋 - 轨道 Mott 系统进行结构和功能调控的可能性。
引用
@article{arxiv.1210.0161,
title = {Epitaxy-distorted spin-orbit Mott insulator in Sr2IrO4 thin films},
author = {C. Rayan Serrao and Jian Liu and J. T. Heron and G. Singh-Bhalla and A. Yadav and S. J. Suresha and R. J. Paull and D. Yi and J. -H. Chu and M. Trassin and A. Vishwanath and E. Arenholz and C. Frontera and J. Železný and T. Jungwirth and X. Marti and R. Ramesh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.0161},
year = {2015}
}