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利用外延应变调控 Sr$_2$IrO$_4$ 薄膜中的磁耦合

强关联电子 2014-04-21 v2

摘要

我们报道了对外延应变 Sr2IrO4\mathrm{Sr_2IrO_4} 薄膜的 X 射线共振磁散射 (XRMS) 和共振非弹性 X 射线散射 (RIXS) 研究。薄膜分别生长在 SrTiO3\mathrm{SrTiO_3}(LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7\mathrm{(LaAlO_3)_{0.3}(Sr_2AlTaO_6)_{0.7}} 衬底上,分别承受轻微的拉伸应变和压缩应变。尽管薄膜形成了类似于体材料 Sr2IrO4\mathrm{Sr_2IrO_4} 的磁结构,但磁关联表现出极强的各向异性,面内关联长度显著长于面外关联长度。此外,压缩(拉伸)应变会抑制(增强)磁有序温度 TN\mathrm{T_N},同时提高(降低)布里渊区边界磁振子的能量。量子化学计算表明,磁能标的调控可理解为应变引起的键长变化所致。

关键词

引用

@article{arxiv.1312.4005,
  title  = {Tuning Magnetic Coupling in Sr$_2$IrO$_4$ Thin Films with Epitaxial Strain},
  author = {A. Lupascu and J. P. Clancy and H. Gretarsson and Zixin Nie and J. Nichols and J. Terzic and G. Cao and S. S. A. Seo and Z. Islam and M. H. Upton and Jungho Kim and A. H. Said and D. Casa and T. Gog and Vamshi M. Katukuri and H. Stoll and L. Hozoi and J. van den Brink and Young-June Kim},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1312.4005},
  year   = {2014}
}

备注

5 pages, 4 figures