利用透射电子显微镜证实 Mn$_x$Ga$_{1-x}$ 薄膜中存在面内四方 c 轴
材料科学
2015-04-14 v1
摘要
在不同温度和厚度下生长于 SrTiO 衬底上的四方 MnGa (x=0.70, 0.75) 薄膜表现出垂直磁各向异性，矫顽场介于 1-2 T 之间。透射电子显微镜 (TEM) 和 X 射线衍射 (XRD) 显示，在 300-350C 下生长的 40nm 样品导致多晶薄膜的形成，其四方 c 轴主要垂直于薄膜平面，但部分样品表现出 c 轴位于薄膜平面内。这种结构导致面外磁化中出现次要磁分量。在 300C 下生长并减小厚度或 Mn 浓度会显著减少薄膜平面内四方 c 轴的存在，从而改善磁性能。TEM 对于表征这些材料至关重要，因为常规 XRD 并不总能识别出额外晶体学取向的存在，尽管它们仍会影响磁性能。我们的研究指出了控制这些薄膜微观结构的方法，这对于该材料在自旋电子器件中的应用至关重要。
引用
@article{arxiv.1504.03085,
title = {Evidence for In-Plane Tetragonal c-axis in Mn$_x$Ga$_{1-x}$ Thin Films using Transmission Electron Microscopy},
author = {J. Karel and F. Casoli and P. Lupo and L. Nasi and S. Fabbrici and L. Righi and F. Albertini and C. Felser},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.03085},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 4 figures