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具有高矫顽场的垂直磁化 Mn-Co-Ga 基薄膜

材料科学 2013-07-15 v1

摘要

通过磁控共溅射在 MgO 衬底上生长了 Mn3x_{3-x}Cox_{x}Ga 外延薄膜。结构随 Co 含量不同呈四方或立方相。研究了薄膜饱和磁化强度及单轴磁各向异性 KuK_u 的成分依赖性。对于磁矩为 0.84μB\mu_B 的 Mn2.6_{2.6}Co0.3_{0.3}Ga1.1_{1.1} 薄膜,实现了高 KuK_u (1.2 MJ m3^{-3})。通过硬 X 射线光电子能谱获得了价带谱。立方相中存在的尖锐峰在四方相中缺失,证明 van Hove 奇点导致了伴随四方畸变的能带 Jahn-Teller 效应。观测结果与第一性原理计算吻合良好。

关键词

引用

@article{arxiv.1211.2440,
  title  = {Perpendicularly magnetized Mn-Co-Ga-based thin films with high coercive field},
  author = {Siham Ouardi and Takahide Kubota and Gerhard H. Fecher and Rolf Stinshoff and Shigemi Mizukami and Terunobu Miyazaki and Eiji Ikenaga and Claudia Felser},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1211.2440},
  year   = {2013}
}