蓝宝石a面衬底上CoMnGe薄膜的结构、静态和动态磁性质
材料科学
2011-04-07 v3
摘要
利用振动样品磁强计(VSM)和常规或微带线(MS)铁磁共振(FMR)技术，研究了在单晶蓝宝石衬底上于400°C射频溅射生长的不同厚度(13、34、55、83、100和200 nm)CoMnGe薄膜的磁性质。其行为通过假设一个具有面内二重和四重各向异性且主方向之间存在一定错位的磁能密度来描述。对于所有样品，四重各向异性的易轴平行于衬底的c轴，而二重各向异性的易轴方向则随样品变化，似乎受生长条件强烈影响。该方向很可能由Al2O3衬底不可避免的微小偏切角所决定。与随温度降低的四重各向异性场不同，面内二重各向异性场几乎与温度无关。最后，我们研究了观测到的共振模式线宽的频率依赖性，并得出55 nm厚薄膜的典型吉尔伯特阻尼常数为0.0065。
引用
@article{arxiv.1005.4595,
title = {Structural, static and dynamic magnetic properties of CoMnGe thin films on a sapphire a-plane substrate},
author = {Mohamed Belmeguenai and Fatih Zighem and Thierry Chauveau and Damien Faurie and Yves Roussigné and Salim Mourad Chérif and Philippe Moch and Kurt Westerholt and Philippe Monod},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.4595},
year = {2011}
}
备注
7 pages, 7 figures, To be published (Journal of Applied Physics)