生长在 Si 和 MgO 衬底上的 Co2FeAl Heusler 薄膜：退火温度效应
材料科学
2014-07-30 v1
摘要
通过磁控溅射在 MgO(001) 和 Si(001) 衬底上沉积了 10 nm 和 50 nm 的 CoFeAl (CFA) 薄膜，并在不同温度下进行了退火。X 射线衍射显示，分别在 Si 和 MgO 衬底上生长的 CFA 薄膜呈现多晶生长或外延生长（对应于 CFA(001)[110]//MgO(001)[100] 外延关系）。对于后者，随着退火温度 (Ta) 的升高，化学有序度从 A2 相转变为 B2 相，而在 Si 上生长的 CFA 中仅观察到 A2 无序类型。微带铁磁共振 (MS-FMR) 测量表明，在 MgO 衬底上生长的 CFA 的面内各向异性是由单轴和四重对称项叠加而成的。这种四重各向异性在 Si 上生长的样品中完全消失，这与样品的晶体结构相一致。四重各向异性场随 Ta 的升高而减小，而单轴各向异性场在所研究的范围内几乎不受 Ta 影响。MS-FMR 数据还表明，回转磁因子保持恒定，且交换刚度常数随 增加而增大。最后，由于化学有序度的提高，FMR 线宽随 Ta 的升高而减小。我们推导出了极低的本征阻尼参数（在 MgO 和 Si 上生长并在 615 {\deg}C 下退火的 50 nm 厚薄膜分别为 1.3*10^-3 和 1.1*10^-3）。
引用
@article{arxiv.1401.4397,
title = {Co2FeAl Heusler thin films grown on Si and MgO substrates: annealing temperature effect},
author = {M. Belmeguenai and H. Tuzcuoglu and M. S. Gabor and T. Petrisor and C. Tuisan and F. Zighem and S. M. Chérif and P. Moch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.4397},
year = {2014}
}
备注
8 pages, 7 figures to appear in J. App. Phys