氢化(Ga,Mn)As中磁各向异性随载流子浓度的演化
材料科学
2016-08-14 v1
摘要
(Ga,Mn)As薄膜的磁性质取决于Mn掺杂水平和载流子浓度。我们利用生长后的氢化过程，展示了在保持锰浓度恒定的同时，将空穴密度从1.10×10^21 cm^-3降低到<10^17 cm^-3的可能性。对于这样一系列薄膜，我们通过磁强测量、铁磁共振和磁输运测量，研究了磁化强度、易磁化和难磁化轴、临界温度、矫顽场以及磁晶各向异性常数随温度的变化。特别是，我们证明了随着空穴密度和温度的增加，磁易轴从面外[001]方向翻转到面内[100]方向，随后是<110>方向。我们的研究得出结论，与平均场理论对预期易轴反转以及该材料中单轴和立方各向异性权重的预测总体一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0702548,
title = {Evolution of the magnetic anisotropy with carrier density in hydrogenated (Ga,Mn)As},
author = {Laura Thevenard and Ludovic Largeau and Olivia Mauguin and Aristide Lemaître and Khashayar Khazen and Jürgen Von Bardeleben},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0702548},
year = {2016}
}
备注
26 pages