增大孔浓度下 (Ga,Mn)As 的磁各向异性开关
材料科学
2009-11-11 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了随孔浓度变化而 (Ga,Mn)As 薄膜磁各向异性轴向切换的可能机制。在 4 K 下，发现当孔浓度超过 p = 1.5 × 10^21 cm^-3 时，沿 [110] 方向的平面单向磁各向异性超过固有立方磁晶向异性。通过生长后退火也可实现此各向异性开关，随着退火时间增长，温度依赖的交交易性发生显著变化。基于我们最近的模型 [Phys. Rev. Lett. 94, 147203 (2005); Phys. Rev. B 73, 155204 (2006)]，我们推断，具有 [110] 单向各向异性的高度孔浓度簇区生长可能是导致高孔浓度下 [110] 单向磁各向异性增强的主要原因。我们明确排除了各向异性晶格应变作为磁各向异性轴向切换的可能原因。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0601603,
title = {Magnetic anisotropy switching in (Ga,Mn)As with increasing hole concentration},
author = {K. Hamaya and T. Watanabe and T. Taniyama and A. Oiwa and Y. Kitamoto and Y. Yamazaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0601603},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures, to appear in Phys. Rev. B