两种不同空穴浓度的(Ga,Mn)As的面外磁化反转过程
材料科学
2015-06-25 v1
摘要
我们利用磁输运测量研究了具有不同空穴浓度的面内磁化(Ga,Mn)As外延层在面外磁场中的磁化反转过程。在磁化从面外饱和旋转到面内剩磁的过程中，空穴浓度为10^20 cm^-3和10^21 cm^-3的两个样品中发现了磁化过程的明显差异。另一方面，从面内剩磁到面外方向的磁化切换过程没有表现出空穴浓度依赖性，该切换过程通过畴壁传播发生。我们表明，<100>立方磁晶各向异性和单轴[110]各向异性的平衡可以理解(Ga,Mn)As外延层面外磁化过程的差异。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0603568,
title = {Out-of-plane magnetization reversal processes of (Ga,Mn)As with two different hole concentrations},
author = {K. Hamaya and T. Taniyama and Y. Yamazaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0603568},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 4 figures, to appear in J. Appl. Phys