Ga1-xMnxP1-ySy中补偿依赖的面内磁化反转过程
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
我们报道了在Ga1-xMnxP中，用S对阴离子亚晶格进行稀合金化对面内单轴磁各向异性和磁化反转过程的影响，该影响通过铁磁共振(FMR)和超导量子干涉仪(SQUID)磁强计测量。在T=5K时，提高S浓度会增加面内<011>方向之间的单轴磁各向异性，同时降低(负)立方各向异性场的幅度。SQUID磁强计的模拟表明，畴壁成核和生长所需的能量随y的增加而减小。这些综合效应对场依赖的磁化曲线形状有显著影响；虽然方向仍保持为薄膜平面内的易轴，但随着S浓度的增加，磁化强度对场的依赖在[011]方向出现双磁滞回线，类似于轻掺杂Ga1-xMnxAs中观察到的垂直磁化反转现象。双磁滞回线的出现用一个简单模型解释，即磁化反转通过相干自旋旋转和非相干自旋切换的组合发生，这与FMR和磁强计实验一致。磁性能随S浓度的演变归因于Mn受主被S施主补偿，这导致介导铁磁性的空穴浓度降低。
引用
@article{arxiv.0811.0385,
title = {Compensation-dependent in-plane magnetization reversal processes in Ga1-xMnxP1-ySy},
author = {P. R. Stone and C. Bihler and M. Kraus and M. A. Scarpulla and J. W. Beeman and K. M. Yu and M. S. Brandt and O. D. Dubon},
journal= {arXiv preprint arXiv:0811.0385},
year = {2009}
}
备注
37 pages, 9 figures, 3 tables