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(Ga,Mn)As 薄膜中的自旋-轨道耦合效应：各向异性交换相互作用与磁晶各向异性

材料科学 2015-05-30 v1

作者: S. Mankovsky , S. Polesya , S. Bornemann , J. Minár , F. Hoffmann , C. H. Back , H. Ebert

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摘要

基于第一性原理电子结构理论，通过磁转矩计算研究了 (Ga,Mn)As 薄膜的磁晶各向异性 (MCA)。面内单轴各向异性的一个显著贡献可归因于邻近表面的扩展区域。交换张量的计算允许将磁晶各向异性的一个重要部分归因于交换各向异性，这种各向异性由晶格的四方畸变或表面/界面的存在所引起。

关键词

自旋-轨道耦合 (Ga,Mn)As 薄膜磁晶各向异性交换各向异性第一性原理计算磁转矩四方畸变

引用

@article{arxiv.1108.5870,
  title  = {Spin-orbit coupling effect in (Ga,Mn)As films: anisotropic exchange interactions and magnetocrystalline anisotropy},
  author = {S. Mankovsky and S. Polesya and S. Bornemann and J. Minár and F. Hoffmann and C. H. Back and H. Ebert},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1108.5870},
  year   = {2015}
}

备注

5 pages, 3 figures