(Ga,Mn)As微米条中磁各向异性的应变控制
材料科学
2013-05-29 v1
摘要
我们报告了对在压应变下生长的(Ga,Mn)As外延层中通过光刻图案化制成的条形阵列的磁晶各向异性的实验和理论研究。通过高分辨率X射线衍射测量研究了(Ga,Mn)As微米条的结构性质。实验数据显示出强烈的应变弛豫效应，与有限元模拟结果吻合良好。利用超导量子干涉仪（SQUID）磁化测量，研究了通过光刻诱导的微米条应变弛豫来控制(Ga,Mn)As中的磁各向异性。基于(Ga,Mn)As铁磁自旋轨道耦合能带结构的平均场动力学交换模型，进行了各向异性的微观理论建模。基于实验数据与理论建模的整体一致性，我们得出结论：微图案化诱导的各向异性源于磁晶、自旋轨道耦合。
引用
@article{arxiv.1007.2766,
title = {Strain control of magnetic anisotropy in (Ga,Mn)As microbars},
author = {C. King and J. Zemen and K. Olejník and L. Horák and J. Haigh and V. Novák and J. Kučera and V. Holý and R. P. Campion and B. L. Gallagher and T. Jungwirth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.2766},
year = {2013}
}
备注
11 pages, 18 figures