MBE 生长 (Ga,Mn)As 材料中各向异性的广泛比较
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
本文报告了对全球各种来源生产的 (Ga,Mn)As 层磁各向异性的详细磁输运研究。利用各向异性指纹来识别各种高阶各向异性项的贡献，我们表明，除了主 ([100] + [010]) 各向异性外，[100] 和 [110] 单轴各向异性的存在是所有通常用于输运测量的中等掺杂 (Ga,Mn)As 层的共同特征，而这些单轴项的振幅是各个层的特征。
引用
@article{arxiv.0802.4206,
title = {An extensive comparison of anisotropies in MBE grown (Ga,Mn)As material},
author = {C. Gould and S. Mark and K. Pappert and G. Dengel and J. Wenisch and R. P. Campion and A. W. Rushforth and D. Chiba and Z. Li and X. Liu and W. Van Roy and H. Ohno and J. K. Furdyna and B. Gallagher and K. Brunner and G. Schmidt and L. W. Molenkamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:0802.4206},
year = {2009}
}