光刻与电控应变对 (Ga,Mn)As 各向异性磁电阻的影响
材料科学
2008-11-04 v2
摘要
已有研究表明，(Ga,Mn)As 中的磁晶各向异性对小至 的晶格应变敏感，且应变可通过生长过程中的晶格参数工程、生长后的光刻技术，以及通过将 (Ga,Mn)As 样品键合到压电换能器上进行电控来调节。在本工作中，我们展示了在各向异性磁电阻 (AMR) 的晶体分量中观察到了类似效应。光刻或电诱导的应变变化可产生大于晶体 AMR 且占未处理 (Ga,Mn)As 材料总 AMR 显著比例的晶体 AMR 分量。在这些实验中，我们还观测到了唯象 AMR 表达式中的新高阶项，并发现应变变化效应在 (Ga,Mn)As 横向纳米缩颈的微磁学和磁输运特性中起着重要作用。
引用
@article{arxiv.0802.3344,
title = {Lithographically and electrically controlled strain effects on anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As},
author = {E. De Ranieri and A. W. Rushforth and K. Vyborny and U. Rana and E. Ahmed and R. P. Campion and C. T. Foxon and B. L. Gallagher and A. C. Irvine and J. Wunderlich and T. Jungwirth},
journal= {arXiv preprint arXiv:0802.3344},
year = {2008}
}
备注
11 pages, 4 figures, references fixed