应变驱动的反铁磁 La$_{0.4}$Sr$_{0.6}$MnO$_{3}$ 中的各向异性磁电阻
强关联电子
2014-09-01 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了应变对反铁磁（AFM）LaSrMnO (x = 0.6) 单晶薄膜的影响。名义上无应变的样品表现出强烈的磁电阻，其各向异性磁电阻（AMR）高达 8%。压缩应变抑制了磁电阻，但产生了高达 63% 的 AMR 值。拉伸应变是唯一出现金属 - 绝缘体转变的情况，并展示了一种此前未报道的 AMR 行为。在所有三种情况下，我们都发现了磁有序的证据，且没有全局铁磁相变的迹象。这些行为归因于外延诱导的轨道占据变化驱动了不同类型的磁有序。我们的研究结果表明，不同的反铁磁有序类型对 AMR 的幅度和特性具有深远影响。
引用
@article{arxiv.1408.7097,
title = {Strain driven anisotropic magnetoresistance in antiferromagnetic La$_{0.4}$Sr$_{0.6}$MnO$_{3}$},
author = {A. T. Wong and C. Beekman and H. Guo and W. Siemons and Z. Gai and E. Arenholz and Y. Takamura and T. Z. Ward},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.7097},
year = {2014}
}
备注
http://dx.doi.org/10.1063/1.4892420