二维 CrAsS$_4$ 中应变可调的磁序与电子结构
材料科学
2021-10-01 v1
摘要
基于密度泛函理论的第一性原理计算，研究了应变对单层 CrAsS 磁序和能带结构的影响。我们发现单层 CrAsS 是一种反铁磁性（AFM）半导体，并通过沿 y 方向施加 2.99% 的单轴拉伸应变或沿 x 方向施加 1.76% 的压缩应变，可发生从 AFM 态到铁磁性（FM）态的相变。应变依赖的磁稳定性 underlying 物理机制被进一步阐明为直接交换与间接超交换相互作用之间竞争的结果。此外，能隙随磁序相变发生突变。我们的研究为设计应变调控的自旋电子器件提供了一种直观途径。
引用
@article{arxiv.1907.02439,
title = {Strain-tunable magnetic order and electronic structure in 2D CrAsS$_4$},
author = {Tengfei Hu and Wenhui Wan and Yanfeng Ge and Yong Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.02439},
year = {2021}
}
备注
7 pages, 6 figures