二维 Janus 磁体中应变诱导的本征反铁磁斯格明子

反铁磁（AFM）斯格明子由于对斯格明子 Hall 效应和外部磁扰动均具有抗性，有望成为下一代自旋电子器件的有力候选者。尽管已在体材料和人工 AFM 层状系统中观察到，但单磁层内本征 AFM 斯格明子的存在（这为自旋电子器件制造提供了潜在优势）一直难以捉摸。在本工作中，以单层 CrSi(Te,Se)$_{3}$ 为代表性系统，我们证明了二维 Janus 磁体中本征 AFM 斯格明子的出现。研究发现，在中等压应变下，单层 CrSi(Te,Se)$_{3}$ 中显著的 Dyzaloshinskii-Moriya 相互作用与应变诱导的 AFM Heisenberg 交换相互作用之间的相互作用，会导致由 AFM 自旋螺旋组装而成的本征 AFM 斯格明子的出现。此外，施加外部磁场可以触发 AFM meron 以及倾斜 AFM 态的出现。我们的发现为实现真实系统中的本征 AFM 斯格明子提供了一条可行途径，为 AFM 拓扑自旋电子器件的发展铺平了道路。