在金属界面上构造反铁磁斯格明子与反斯格明子
强关联电子
2022-02-16 v1
摘要
我们确定了一种通过界面工程将斯格明子和反斯格明子转换为其反铁磁（AFM）对应物的机制。核心思想是结合反铁磁体与自旋轨道（SO）耦合金属的性质。利用针对界面层通用微观电子哈密顿量的混合蒙特卡洛（HMC）模拟，我们明确展示了 AFM 斯格明子和 AFM 反斯格明子的出现。我们进一步表明，一个有效自旋哈密顿量可对这些结果提供更简洁的理解。我们讨论了电子巡游性在决定磁纹理性质中的作用，并证明该机制还允许在不改变 SO 耦合的情况下调控反斯格明子尺寸。
引用
@article{arxiv.2110.00742,
title = {Engineering antiferromagnetic skyrmions and antiskyrmions at metallic interfaces},
author = {Arnob Mukherjee and Deepak S. Kathyat and Sanjeev Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.00742},
year = {2022}
}
备注
10 pages including supplemental material, 6 figures in manuscript, and 3 figures in supplemental material