反铁磁斯格明子：稳定性、产生与操控
介观与纳米尺度物理
2016-04-25 v2 材料科学
强关联电子
摘要
磁斯格明子是铁磁体中类粒子的拓扑激发，具有拓扑数 ，因此由于源于拓扑的 Magnus 力效应而表现出斯格明子霍尔效应 (SkHE)。在此，我们提出了反铁磁 (AFM) 系统中磁斯格明子的对应物，即反铁磁斯格明子，它受到拓扑保护但不表现出 SkHE。基于微磁晶格模拟，描述了两种产生反铁磁斯格明子的方法：(i) 向具有反铁磁基态的纳米盘注入垂直自旋极化电流；(ii) 在纳米线结中转换反铁磁畴壁对。研究表明，由自旋极化电流驱动的反铁磁斯格明子可以长距离直线运动，这得益于 SkHE 的缺失。我们的结果将为设计基于反铁磁材料的新型自旋电子器件开辟新策略。
引用
@article{arxiv.1504.01198,
title = {Antiferromagnetic Skyrmion: Stability, Creation and Manipulation},
author = {Xichao Zhang and Yan Zhou and Motohiko Ezawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.01198},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 6 figures