合成反铁磁体中电流驱动的快速斯格明子运动
介观与纳米尺度物理
2024-04-22 v1 材料科学
摘要
磁性斯格明子是拓扑磁结构，在存储和逻辑器件中作为纳米级信息比特具有广阔前景。尽管室温铁磁斯格明子及其电流驱动操控已被证明，但它们的速度被限制在约 100 米每秒。此外，它们的动力学受到斯格明子霍尔效应的干扰，这是一种由斯格明子拓扑荷引起的横向于电流方向的运动。在这里，我们展示了补偿合成反铁磁体中的斯格明子可以沿电流方向被电流驱动，速度高达 900 米每秒。这可以通过净拓扑荷的抵消导致斯格明子霍尔效应消失来解释。我们的结果为实现基于轨道上斯格明子快速操控的逻辑和存储器件开辟了一条重要途径。
引用
@article{arxiv.2404.13017,
title = {Fast current-induced skyrmion motion in synthetic antiferromagnets},
author = {Van Tuong Pham and Naveen Sisodia and Ilaria Di Manici and Joseba Urrestarazu-Larrañaga and Kaushik Bairagi and Johan Pelloux-Prayer and Rodrigo Guedas and Liliana Buda-Prejbeanu and Stéphane Auffret and Andrea Locatelli and Tevfik Onur Menteş and Stefania Pizzini and Pawan Kumar and Aurore Finco and Vincent Jacques and Gilles Gaudin and Olivier Boulle},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.13017},
year = {2024}
}
备注
The document includes the main text and the supplementary materials. This is the accepted version of the work published in Science, 384, 6693 (2024)