skyrmion 移位器件中电压驱动的高速 skyrmion 运动
应用物理
2019-01-09 v1
摘要
磁性 skyrmion 是构建未来高密度、高速自旋电子器件的极具前景的信息载体。然而，要实现电流驱动的高速 skyrmion 运动，所需驱动电流密度通常非常大，这可能能效低下，并因焦耳热而损坏器件。在此，我们提出一种由磁性纳米线构成的 skyrmion 移位器件中的电压驱动 skyrmion 运动方法。利用电压移位实现了高速 skyrmion 运动，在 0.45 V 外加电压下平均 skyrmion 速度可达 259 m/s。与广泛研究的垂直电流驱动模型相比，在 skyrmion 相同速度运动下，我们的电压驱动模型的能量耗散低三个数量级。我们的方法为构建兼具超低功耗与超高处理速度的 skyrmion 赛道存储器及逻辑器件揭示了宝贵机遇，这些正是未来自旋电子应用所青睐的特性。
引用
@article{arxiv.1803.05615,
title = {Voltage-Driven High-Speed Skyrmion Motion in a Skyrmion Shift Device},
author = {Yizheng Liu and Na Lei and Chengxiang Wang and Xichao Zhang and Wang Kang and Daoqian Zhu and Yan Zhou and Xiaoxi Liu and Youguang Zhang and Weisheng Zhao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.05615},
year = {2019}
}